Journalartikel - Wissenschaftlicher Artikel | 1998 | Peer reviewed

MOS-Compatible Fabrication and Characterization of Tunnel Junctions in BESOI-Material

Autor*innen

Köster, Thomas ; Hadam, Birgit ; Goldschmidtböing, Frank ; Hofmann, K. ; Gondermann, J. ; Stein, Josef ; Hu, S. ; Altmeyer, Stefan ; Spangenberg, Bernd ; Kurz, Heinrich

Zeitschrift

Microelectronic engineering

DOI

10.1016/S0167-9317(98)00124-5

Weitere Details

Sprache

englisch

Darstellungsform

Text

Band

41-42

Seitenbereich

531 - 534

Zitierstile

Köster, T., Hadam, B., Goldschmidtböing, F., Hofmann, K., Gondermann, J., Stein, J., … Kurz, H. (1998). MOS-Compatible Fabrication and Characterization of Tunnel Junctions in BESOI-Material. Microelectronic Engineering, 41–42, 531–534. doi:10.1016/S0167-9317(98)00124-5

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Köster, T., Hadam, B., Goldschmidtböing, F., Hofmann, K., Gondermann, J., Stein, J., Hu, S., Altmeyer, S., Spangenberg, B. and Kurz, H., 1998. MOS-Compatible Fabrication and Characterization of Tunnel Junctions in BESOI-Material. Microelectronic engineering, 41–42, pp.531–534.

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Köster, Thomas u. a. 1998. MOS-Compatible Fabrication and Characterization of Tunnel Junctions in BESOI-Material. Microelectronic engineering 41–42, 531–534.

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Köster, Thomas u. a. 1998. MOS-Compatible Fabrication and Characterization of Tunnel Junctions in BESOI-Material. Microelectronic engineering 41–42, 531–534.

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