Journalartikel - Wissenschaftlicher Artikel | 2015 | Peer reviewed

InGaN Light-emitting Diode Stripes with Reduced Luminous Exitance

Autor*innen

Cheung, W. S. ; Cheung, Y. F. ; Chen, H. T. ; Hui, R. S. Y. ; Waffenschmidt, E. ; Choi, H. W.

Zeitschrift

Optics express

DOI

10.1364/OE.23.015021

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Sprache

englisch

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Text

Band

Ausgabe

Seitenbereich

15021 - 15028

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Cheung, W. S., Cheung, Y. F., Chen, H. T., Hui, R. S. Y., Waffenschmidt, E., & Choi, H. W. (2015). InGaN Light-emitting Diode Stripes with Reduced Luminous Exitance. Optics Express, 23(11), 15021–15028. doi:10.1364/OE.23.015021

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Cheung, W.S., Cheung, Y.F., Chen, H.T., Hui, R.S.Y., Waffenschmidt, E. and Choi, H.W., 2015. InGaN Light-emitting Diode Stripes with Reduced Luminous Exitance. Optics express, 23(11), pp.15021–15028.

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Cheung, W. S. u. a. 2015. InGaN Light-emitting Diode Stripes with Reduced Luminous Exitance. Optics express 23, 11, 15021–15028.

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American Psychological Association 6th edition (DOI)

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